素子部分が純粋金属のナノギャップ構造で構成された、不揮発性メモリーを実現した。これによって、これまでの200℃程度であった不揮発性メモリーの動作可能温度を600℃にまで向上させることができた。このメモリー素子は、高温環境下でのメモリーやセンサーの応用、例えばフライトレコーダーや惑星探査機への応用が期待される。
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